X'inhi d-differenza bejn MOSFET u IGBT? Olukey se jwieġeb il-mistoqsijiet tiegħek!

Bħala elementi ta 'swiċċjar, MOSFET u IGBT spiss jidhru f'ċirkwiti elettroniċi. Huma wkoll simili fid-dehra u l-parametri karatteristiċi. Nemmen li ħafna nies se jistaqsu għaliex xi ċirkwiti jeħtieġu li jużaw MOSFET, filwaqt li oħrajn jagħmlu. IGBT?

X'inhi d-differenza bejniethom? Sussegwentement,Olukeyse jwieġeb il-mistoqsijiet tiegħek!

X'inhu aMOSFET?

MOSFET, l-isem Ċiniż sħiħ huwa transistor ta ' l-effett tal-kamp tas-semikondutturi tal-metall-ossidu. Minħabba li l-bieb ta 'dan it-transistor tal-effett tal-kamp huwa iżolat minn saff iżolanti, jissejjaħ ukoll transistor tal-effett tal-kamp tal-bieb iżolat. MOSFET jista 'jinqasam f'żewġ tipi: "N-tip" u "P-tip" skond il-polarità tal-"kanal" tiegħu (trasportatur tax-xogħol), normalment imsejħa wkoll N MOSFET u P MOSFET.

Il-MOSFET innifsu għandu d-dijodu parassitiku tiegħu stess, li jintuża biex jipprevjeni li l-MOSFET jinħaraq meta VDD ikun vultaġġ żejjed. Minħabba li qabel ma l-vultaġġ żejjed jikkawża ħsara lill-MOSFET, id-dijodu jkisser b'lura l-ewwel u jidderieġi l-kurrent kbir lejn l-art, u b'hekk jipprevjeni li l-MOSFET jinħaraq.

Dijagramma tal-prinċipju tax-xogħol MOSFET

X'inhu IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) huwa apparat semikonduttur kompost magħmul minn transistor u MOSFET.

Is-simboli taċ-ċirkwit tal-IGBT għadhom mhumiex unifikati. Meta tfassal id-dijagramma skematika, is-simboli ta 'triode u MOSFET huma ġeneralment mislufa. F'dan iż-żmien, tista 'tiġġudika jekk huwiex IGBT jew MOSFET mill-mudell immarkat fuq id-dijagramma skematika.

Fl-istess ħin, għandek ukoll tagħti attenzjoni jekk l-IGBT għandux dajowd tal-ġisem. Jekk ma tkunx immarkata fuq l-istampa, ma jfissirx li ma teżistix. Sakemm id-dejta uffiċjali ma tgħidx mod ieħor, dan id-dijodu huwa preżenti. Id-dijodu tal-ġisem ġewwa l-IGBT mhuwiex parassitiku, iżda huwa stabbilit b'mod speċjali biex jipproteġi l-vultaġġ ta 'reżistenza reverse fraġli tal-IGBT. Huwa wkoll imsejjaħ FWD (dijodu ta 'wheeling).

L-istruttura interna tat-tnejn hija differenti

It-tliet arbli tal-MOSFET huma sors (S), drain (D) u gate (G).

It-tliet arbli tal-IGBT huma kollettur (C), emittent (E) u gate (G).

IGBT huwa mibni billi żżid saff addizzjonali mal-fossa ta 'MOSFET. L-istruttura interna tagħhom hija kif ġej:

L-oqsma ta 'applikazzjoni tat-tnejn huma differenti

L-istrutturi interni ta 'MOSFET u IGBT huma differenti, li jiddeterminaw l-oqsma ta' applikazzjoni tagħhom.

Minħabba l-istruttura tal-MOSFET, normalment jista 'jikseb kurrent kbir, li jista' jilħaq KA, iżda l-kapaċità ta 'reżistenza għall-vultaġġ prerekwiżit mhix b'saħħitha daqs IGBT. L-oqsma ta 'applikazzjoni prinċipali tagħha huma swiċċjar ta' provvisti ta 'enerġija, ballasts, tisħin ta' induzzjoni ta 'frekwenza għolja, magni tal-iwweldjar ta' inverter ta 'frekwenza għolja, provvisti ta' enerġija ta 'komunikazzjoni u oqsma oħra ta' provvista ta 'enerġija ta' frekwenza għolja.

IGBT jista 'jipproduċi ħafna enerġija, kurrent u vultaġġ, iżda l-frekwenza mhix għolja wisq. Fil-preżent, il-veloċità tal-bdil iebes ta 'IGBT tista' tilħaq 100KHZ. IGBT tintuża ħafna f'magni tal-iwweldjar, invertituri, konvertituri tal-frekwenza, provvisti ta 'enerġija elettrolitika tal-electroplating, tisħin tal-induzzjoni ultrasoniku u oqsma oħra.

Karatteristiċi ewlenin ta 'MOSFET u IGBT

MOSFET għandu l-karatteristiċi ta 'impedenza tad-dħul għolja, veloċità ta' bidla mgħaġġla, stabbiltà termali tajba, kurrent ta 'kontroll tal-vultaġġ, eċċ Fiċ-ċirkwit, jista' jintuża bħala amplifikatur, swiċċ elettroniku u skopijiet oħra.

Bħala tip ġdid ta 'apparat elettroniku semikonduttur, IGBT għandu l-karatteristiċi ta' impedenza ta 'input għolja, konsum ta' enerġija ta 'kontroll ta' vultaġġ baxx, ċirkwit ta 'kontroll sempliċi, reżistenza għal vultaġġ għoli, u tolleranza kbira tal-kurrent, u intuża ħafna f'diversi ċirkwiti elettroniċi.

Iċ-ċirkwit ekwivalenti ideali ta 'IGBT jidher fil-figura hawn taħt. IGBT huwa fil-fatt taħlita ta 'MOSFET u transistor. MOSFET għandu l-iżvantaġġ ta 'reżistenza għolja fuq, iżda IGBT jegħleb dan in-nuqqas. IGBT għad għandu reżistenza baxxa fuq vultaġġ għoli. .

B'mod ġenerali, il-vantaġġ ta 'MOSFET huwa li għandu karatteristiċi tajbin ta' frekwenza għolja u jista 'jopera fi frekwenza ta' mijiet ta 'kHz u sa MHz. L-iżvantaġġ huwa li r-reżistenza fuq hija kbira u l-konsum tal-enerġija huwa kbir f'sitwazzjonijiet ta 'vultaġġ għoli u kurrent għoli. IGBT jaħdem tajjeb f'sitwazzjonijiet ta 'frekwenza baxxa u ta' qawwa għolja, b'reżistenza żgħira u vultaġġ għoli ta 'reżistenza.

Agħżel MOSFET jew IGBT

Fiċ-ċirkwit, jekk tagħżelx MOSFET bħala t-tubu tal-iswiċċ tal-enerġija jew IGBT hija mistoqsija li l-inġiniera spiss jiltaqgħu magħhom. Jekk jitqiesu fatturi bħall-vultaġġ, il-kurrent, u l-qawwa tal-iswiċċjar tas-sistema, jistgħu jiġu mqassra l-punti li ġejjin:

In-nies spiss jistaqsu: "MoSFET jew IGBT huwa aħjar?" Fil-fatt, m'hemm l-ebda differenza tajba jew ħażina bejn it-tnejn. L-iktar ħaġa importanti hija li tara l-applikazzjoni attwali tagħha.

Jekk għad għandek mistoqsijiet dwar id-differenza bejn MOSFET u IGBT, tista 'tikkuntattja lil Olukey għad-dettalji.

Olukey prinċipalment jiddistribwixxi prodotti MOSFET ta 'vultaġġ medju u baxx WINSOK. Il-prodotti jintużaw ħafna fl-industrija militari, bords tas-sewwieq LED/LCD, bords tas-sewwieqa tal-mutur, iċċarġjar veloċi, sigaretti elettroniċi, monitors LCD, provvisti ta 'enerġija, apparat domestiku żgħir, prodotti mediċi, u prodotti Bluetooth. Imwieżen elettroniċi, elettronika tal-vetturi, prodotti tan-netwerk, apparat tad-dar, periferali tal-kompjuter u diversi prodotti diġitali.