X'inhuma l-erba' reġjuni ta' MOSFET?

L-erba 'reġjuni ta' MOSFET titjib N-kanal

(1) Reġjun ta 'reżistenza varjabbli (imsejjaħ ukoll reġjun mhux saturat)

Ucs" Ucs (th) (vultaġġ mixgħul), uDs" UGs-Ucs (th), huwa r-reġjun fuq ix-xellug tat-traċċa preclamped fil-figura fejn il-kanal huwa mixgħul. Il-valur tal-UDs huwa żgħir f'dan ir-reġjun, u r-reżistenza tal-kanal hija bażikament ikkontrollata biss minn UGs. Meta uGs huwa ċert, ip u uDs f'relazzjoni lineari, ir-reġjun jiġi approssimat bħala sett ta 'linji dritti. F'dan iż-żmien, it-tubu ta 'l-effett tal-kamp D, S bejn l-ekwivalenti ta' vultaġġ UGS

Ikkontrollat ​​mill-vultaġġ UGS reżistenza varjabbli.

(2) reġjun tal-kurrent kostanti (magħruf ukoll bħala reġjun ta 'saturazzjoni, reġjun ta' amplifikazzjoni, reġjun attiv)

Ucs ≥ Ucs (h) u Ubs ≥ UcsUssth), għall-figura tan-naħa tal-lemin tal-pre-pinch off track, iżda għadu mhux imqassam fir-reġjun, fir-reġjun, meta l-uGs għandhom ikunu, ib kważi ma bidla mal-UDs, hija karatteristiċi ta 'kurrent kostanti. i huwa kkontrollat ​​biss mill-UGs, allura l-MOSFETD, S huwa ekwivalenti għal kontroll uGs ta 'vultaġġ tas-sors kurrenti. MOSFET jintuża f'ċirkwiti ta 'amplifikazzjoni, ġeneralment fuq ix-xogħol tal-MOSFET D, S huwa ekwivalenti għal sors kurrenti ta' kontroll uGs ta 'vultaġġ. MOSFET użat fiċ-ċirkwiti ta 'amplifikazzjoni, ġeneralment jaħdem fir-reġjun, hekk magħruf ukoll bħala ż-żona ta' amplifikazzjoni.

(3) Żona tal-qtugħ (imsejħa wkoll żona tal-qtugħ)

Clip-off area (magħrufa wkoll bħala cut-off area) biex tissodisfa l-UCs "Ues (th) għall-figura ħdejn l-assi orizzontali tar-reġjun, il-kanal huwa kollu kklampjat off, magħruf bħala l-klipp sħiħ off, io = 0 , it-tubu ma jaħdimx.

(4) post ta 'żona ta' tqassim

Ir-reġjun tat-tqassim jinsab fir-reġjun fuq in-naħa tal-lemin tal-figura. Bl-UDs li qed jiżdiedu, il-junction PN hija soġġetta għal vultaġġ u tqassim b'lura wisq, ip jiżdied b'mod qawwi. It-tubu għandu jitħaddem sabiex jiġi evitat li jaħdem fir-reġjun tat-tqassim. Il-kurva karatteristika tat-trasferiment tista 'tiġi derivata mill-kurva karatteristika tal-output. Fuq il-metodu użat bħala graff biex issib. Pereżempju, fil-Figura 3 (a) għal Ubs = 6V linja vertikali, l-intersezzjoni tagħha mal-kurvi varji li jikkorrispondu għall-valuri i, Us fil-koordinati ib- Uss konnessi mal-kurva, jiġifieri, biex tinkiseb il-kurva karatteristika tat-trasferiment.

Parametri taMOSFET

Hemm ħafna parametri tal-MOSFET, inklużi l-parametri DC, il-parametri AC u l-parametri tal-limitu, iżda l-parametri ewlenin li ġejjin biss jeħtieġ li jkunu kkonċernati fl-użu komuni: vultaġġ saturat IDSS pinch-off kurrenti tal-fossa-sors Up, (tubi tat-tip junction u tnaqqis -tip insulated-gate tubi, jew turn-on vultaġġ UT (rinfurzati insulated-gate tubi), trans-conductance gm, leakage-source BUDS ta' vultaġġ ta' tqassim, PDSM ta' qawwa massima dissipata, u IDSM massimu ta' kurrent ta' drain-source.

(1) Kurrent tal-fossa saturat

Il-kurrent tad-drenaġġ saturat IDSS huwa l-kurrent tad-drenaġġ f'MOSFET tal-bieb iżolat tat-tip ta 'junction jew ta' tnaqqis meta l-vultaġġ tal-bieb UGS = 0.

(2) Vultaġġ tal-klipp

Il-vultaġġ ta 'pinch-off UP huwa l-vultaġġ tal-bieb f'MOSFET ta' gate iżolat tat-tip ta 'junction jew tat-tnaqqis li jaqta' biss bejn il-fossa u s-sors. Kif muri f'4-25 għat-tubu N-kanal UGS kurva tal-ID, jista 'jinftiehem biex tara s-sinifikat tal-IDSS u UP

MOSFET erba 'reġjuni

(3) Vultaġġ mixgħul

Il-vultaġġ li jixgħel UT huwa l-vultaġġ tal-bieb f'MOSFET insulat-gate rinfurzat li jagħmel is-sors inter-drain biss konduttiv.

(4) Transkonduttanza

It-transconductance gm hija l-abbiltà ta 'kontroll tal-vultaġġ tas-sors tal-gate UGS fuq l-ID tal-kurrent tad-drenaġġ, jiġifieri, il-proporzjon tal-bidla fl-ID tal-kurrent tad-drain mal-bidla fil-vultaġġ tas-sors tal-bieb UGS. 9m huwa parametru importanti li jiżnu l-kapaċità ta 'amplifikazzjoni tal-MOSFET.

(5) Ixxotta l-vultaġġ tat-tqassim tas-sors

Il-vultaġġ tat-tqassim tas-sors tad-drain BUDS jirreferi għall-vultaġġ tas-sors tal-gate UGS ċerti, operazzjoni normali MOSFET tista 'taċċetta l-vultaġġ massimu tas-sors tad-drenaġġ. Dan huwa parametru ta 'limitu, miżjud mal-vultaġġ operattiv MOSFET għandu jkun inqas minn BUDS.

(6) Dissipazzjoni tal-Enerġija Massima

Dissipazzjoni tal-qawwa massima PDSM huwa wkoll parametru ta 'limitu, jirreferi għall-MOSFETprestazzjoni ma tiddeterjorax meta d-dissipazzjoni tal-qawwa tas-sors tat-tnixxija massimu permissibbli. Meta tuża l-MOSFET il-konsum prattiku tal-enerġija għandu jkun inqas mill-PDSM u jħalli ċertu marġni.

(7) Kurrent Massimu tad-Drain

Kurrent ta 'tnixxija massimu IDSM huwa parametru ta' limitu ieħor, jirreferi għall-operat normali tal-MOSFET, is-sors ta 'tnixxija tal-kurrent massimu permess li jgħaddi mill-kurrent operattiv tal-MOSFET m'għandux jaqbeż l-IDSM.

Prinċipju Operattiv MOSFET

Il-prinċipju operattiv tal-MOSFET (MOSFET ta 'titjib tal-kanal N) huwa li tuża VGS biex tikkontrolla l-ammont ta' "ċarġ induttiv", sabiex tinbidel il-kundizzjoni tal-kanal konduttiv iffurmat minn dawn "ċarġ induttiv", u mbagħad biex jinkiseb l-iskop. tal-kontroll tal-kurrent tad-drain. L-iskop huwa li jikkontrolla l-kurrent tad-drain. Fil-manifattura ta 'tubi, permezz tal-proċess li tagħmel numru kbir ta' joni pożittivi fis-saff iżolanti, għalhekk fin-naħa l-oħra ta 'l-interface jistgħu jiġu indotti aktar ħlasijiet negattivi, dawn il-ħlasijiet negattivi jistgħu jiġu indotti.

Meta l-vultaġġ tal-bieb jinbidel, l-ammont ta 'ċarġ indott fil-kanal jinbidel ukoll, il-wisa' tal-kanal konduttiv tinbidel ukoll, u b'hekk l-ID kurrenti tad-drain jinbidel bil-vultaġġ tal-bieb.

Rwol MOSFET

I. MOSFET jista 'jiġi applikat għall-amplifikazzjoni. Minħabba l-impedenza għolja tad-dħul tal-amplifikatur MOSFET, il-kapaċitatur tal-igganċjar jista 'jkun kapaċità iżgħar, mingħajr l-użu ta' capacitors elettrolitiċi.

It-tieni, l-impedenza tad-dħul għolja tal-MOSFET hija adattata ħafna għall-konverżjoni tal-impedenza. Użat komunement fl-istadju ta 'input ta' amplifikatur f'diversi stadji għall-konverżjoni ta 'impedenza.

MOSFET jista 'jintuża bħala resistor varjabbli.

Ir-raba ', MOSFET jista' jintuża faċilment bħala sors ta 'kurrent kostanti.

Il-ħames, MOSFET jista 'jintuża bħala swiċċ elettroniku.