Id-Differenza Bejn Dajodu tal-Korp u MOSFET

Id-dijodu tal-ġisem (li spiss jissejjaħ sempliċement dajowd regolari, bħala t-terminu“dajowd tal-ġisem”mhuwiex użat komunement f'kuntesti regolari u jista 'jirreferi għal karatteristika jew struttura tad-dijodu innifsu; madankollu, għal dan il-għan, nassumu li tirreferi għal dajowd standard) u l-MOSFET (Transistor tal-Effett tal-Qasam tas-Semikondutturi tal-Metal Osside) ivarjaw b'mod sinifikanti f'diversi aspetti. Hawn taħt hawn analiżi dettaljata tad-differenzi tagħhom:

1. Definizzjonijiet u Strutturi Bażiċi

- Diode: Diode huwa apparat semikonduttur b'żewġ elettrodi, magħmul minn semikondutturi tat-tip P u tat-tip N, li jiffurmaw junction PN. Jippermetti biss li l-kurrent jgħaddi min-naħa pożittiva għan-naħa negattiva (preġudizzju 'l quddiem) filwaqt li jimblokka l-fluss invers (preġudizzju invers).

- MOSFET: MOSFET huwa mezz semikonduttur bi tliet terminali li juża l-effett tal-kamp elettriku biex jikkontrolla l-kurrent. Tikkonsisti minn xatba (G), sors (S), u drain (D). Il-kurrent bejn is-sors u d-drenaġġ huwa kkontrollat mill-vultaġġ tal-bieb.

2. Prinċipju ta 'Ħidma

- Diode: Il-prinċipju tax-xogħol ta 'dijodu huwa bbażat fuq il-konduttività unidirezzjonali tal-junction PN. Taħt preġudizzju 'l quddiem, it-trasportaturi (toqob u elettroni) jinfirxu madwar il-junction PN biex jiffurmaw kurrent; taħt reverse bias, tinħoloq barriera potenzjali, li tipprevjeni l-fluss tal-kurrent.

- MOSFET: Il-prinċipju ta 'ħidma ta' MOSFET huwa bbażat fuq l-effett tal-kamp elettriku. Meta l-vultaġġ tal-bieb jinbidel, jifforma kanal konduttiv (N-channel jew P-channel) fuq il-wiċċ tas-semikonduttur taħt il-gate, li jikkontrolla l-kurrent bejn is-sors u d-drenaġġ. Il-MOSFETs huma apparati kkontrollati bil-vultaġġ, b'kurrent tal-ħruġ jiddependi fuq il-vultaġġ tad-dħul.

3. Karatteristiċi tal-Prestazzjoni

- Diode:

- Adattat għal applikazzjonijiet ta 'frekwenza għolja u ta' enerġija baxxa.

- Għandu konduttività unidirezzjonali, li jagħmilha komponent ewlieni fir-rettifika, l-iskoperta u ċ-ċirkwiti tar-regolazzjoni tal-vultaġġ.

- Il-vultaġġ tat-tqassim b'lura huwa parametru kruċjali u għandu jiġi kkunsidrat fid-disinn biex jiġu evitati kwistjonijiet ta 'tqassim b'lura.

- MOSFET:

- Għandu impedenza ta 'input għolja, storbju baxx, konsum baxx ta' enerġija, u stabbiltà termali tajba.

- Adattat għal ċirkwiti integrati fuq skala kbira u elettronika tal-enerġija.

- Il-MOSFETs huma maqsuma f'tipi ta 'kanal N u kanal P, li kull wieħed minnhom jiġi f'varjetajiet ta' mod ta 'titjib u mod ta' tnaqqis.

- Tesibixxi karatteristiċi ta 'kurrent kostanti tajjeb, bil-kurrent li jibqa' kważi kostanti fir-reġjun ta 'saturazzjoni.

4. Oqsma ta' Applikazzjoni

- Diode: Użat ħafna fl-oqsma tal-elettronika, il-komunikazzjoni u l-provvista tal-enerġija, bħal f'ċirkwiti ta 'rettifika, ċirkwiti ta' regolazzjoni tal-vultaġġ, u ċirkwiti ta 'skoperta.

- MOSFET: Għandu rwol kruċjali f'ċirkwiti integrati, elettronika tal-enerġija, kompjuters, u komunikazzjoni, użati bħala elementi ta 'swiċċjar, elementi ta' amplifikazzjoni, u elementi ta 'sewqan.

5. Konklużjoni

Diodes u MOSFETs huma differenti fid-definizzjonijiet bażiċi tagħhom, strutturi, prinċipji ta 'ħidma, karatteristiċi ta' prestazzjoni, u oqsma ta 'applikazzjoni. Diodes għandhom rwol ewlieni fir-rettifika u r-regolazzjoni tal-vultaġġ minħabba l-konduttività unidirezzjonali tagħhom, filwaqt li l-MOSFETs huma użati b'mod wiesa 'f'ċirkwiti integrati u elettronika tal-enerġija minħabba l-impedenza għolja tad-dħul tagħhom, ħsejjes baxxi u konsum baxx ta' enerġija. Iż-żewġ komponenti huma fundamentali għat-teknoloġija elettronika moderna, kull wieħed joffri l-vantaġġi tiegħu.