PMOSFET, magħruf bħala kanal Pożittiv Metal Oxide Semiconductor, huwa tip speċjali ta 'MOSFET. Din li ġejja hija spjegazzjoni dettaljata tal-PMOSFETs:
I. Struttura bażika u prinċipju tax-xogħol
1. Struttura bażika
Il-PMOSFETs għandhom sottostrati tat-tip n u kanali p, u l-istruttura tagħhom tikkonsisti prinċipalment minn gate (G), sors (S) u drain (D). Fuq is-sottostrat tas-silikon tat-tip n, hemm żewġ reġjuni P + li jservu bħala sors u drain, rispettivament, u huma konnessi ma 'xulxin permezz tal-p-channel. Il-bieb jinsab 'il fuq mill-kanal u huwa iżolat mill-kanal permezz ta' saff ta 'insulazzjoni ta' ossidu tal-metall.
2. Prinċipji ta' tħaddim
Il-PMOSFETs joperaw b'mod simili għall-NMOSFETs, iżda bit-tip oppost ta' trasportaturi. F'PMOSFET, it-trasportaturi ewlenin huma toqob. Meta vultaġġ negattiv jiġi applikat għall-bieb fir-rigward tas-sors, saff invers tat-tip p jiġi ffurmat fuq il-wiċċ tas-silikon tat-tip n taħt il-bieb, li jservi bħala trinka li tgħaqqad is-sors u d-drenaġġ. Il-bidla tal-vultaġġ tal-bieb tbiddel id-densità tat-toqob fil-kanal, u b'hekk tikkontrolla l-konduttività tal-kanal. Meta l-vultaġġ tal-bieb ikun baxx biżżejjed, id-densità tat-toqob fil-kanal tilħaq livell għoli biżżejjed biex tippermetti konduzzjoni bejn is-sors u d-drenaġġ; bil-maqlub, il-kanal jaqta'.
II. Karatteristiċi u applikazzjonijiet
1. Karatteristiċi
Mobilità Baxxa: Transistors MOS tal-kanal P għandhom mobilità ta 'toqba relattivament baxxa, għalhekk it-transkonduttanza tat-transistors PMOS hija iżgħar minn dik ta' transistors NMOS taħt l-istess ġeometrija u vultaġġ operattiv.
Adattat għal applikazzjonijiet ta 'veloċità baxxa u ta' frekwenza baxxa: Minħabba l-mobilità aktar baxxa, iċ-ċirkwiti integrati PMOS huma aktar adattati għal applikazzjonijiet f'żoni ta 'veloċità baxxa u ta' frekwenza baxxa.
Kundizzjonijiet tal-konduzzjoni: Il-kundizzjonijiet tal-konduzzjoni tal-PMOSFETs huma opposti għall-NMOSFETs, li jeħtieġu vultaġġ tal-bieb aktar baxx mill-vultaġġ tas-sors.
- Applikazzjonijiet
Qlib tal-Ġenb Għoli: PMOSFETs huma tipikament użati f'konfigurazzjonijiet ta 'swiċċjar tal-ġenb għoli fejn is-sors huwa konness mal-provvista pożittiva u d-drenaġġ huwa konness mat-tarf pożittiv tat-tagħbija. Meta l-PMOSFET imexxi, jgħaqqad it-tarf pożittiv tat-tagħbija mal-provvista pożittiva, u jippermetti li l-kurrent jgħaddi mit-tagħbija. Din il-konfigurazzjoni hija komuni ħafna f'oqsma bħall-ġestjoni tal-enerġija u drajvs bil-mutur.
Ċirkwiti ta 'Protezzjoni b'lura: PMOSFETs jistgħu jintużaw ukoll f'ċirkwiti ta' protezzjoni b'lura biex jipprevjenu ħsara liċ-ċirkwit ikkawżata minn provvista ta 'enerġija inversa jew fluss lura tal-kurrent tat-tagħbija.
III. Disinn u konsiderazzjonijiet
1. KONTROLL TAL-VOLTAĠĠ TAL-GAT
Meta jiġu ddisinjati ċirkwiti PMOSFET, huwa meħtieġ kontroll preċiż tal-vultaġġ tal-bieb biex jiżgura tħaddim tajjeb. Peress li l-kundizzjonijiet tal-konduzzjoni tal-PMOSFETs huma opposti għal dawk tal-NMOSFETs, jeħtieġ li tingħata attenzjoni għall-polarità u l-kobor tal-vultaġġ tal-bieb.
2. Konnessjoni tat-tagħbija
Meta tgħaqqad it-tagħbija, jeħtieġ li tingħata attenzjoni lill-polarità tat-tagħbija biex jiġi żgurat li l-kurrent jgħaddi b'mod korrett mill-PMOSFET, u l-effett tat-tagħbija fuq il-prestazzjoni tal-PMOSFET, bħal waqgħa fil-vultaġġ, konsum tal-enerġija, eċċ. , jeħtieġ ukoll li jiġi kkunsidrat.
3. Stabbiltà tat-temperatura
Il-prestazzjoni tal-PMOSFETs hija affettwata ħafna mit-temperatura, għalhekk l-effett tat-temperatura fuq il-prestazzjoni tal-PMOSFETs jeħtieġ li jitqies meta jiġu ddisinjati ċirkwiti, u jeħtieġ li jittieħdu miżuri korrispondenti biex tittejjeb l-istabbiltà tat-temperatura taċ-ċirkwiti.
4. Ċirkwiti ta 'protezzjoni
Sabiex jiġi evitat li PMOSFETs jiġu mħassra minn kurrent żejjed u vultaġġ żejjed waqt it-tħaddim, ċirkwiti ta 'protezzjoni bħal protezzjoni ta' kurrent żejjed u protezzjoni ta 'vultaġġ żejjed jeħtieġ li jiġu installati fiċ-ċirkwit. Dawn iċ-ċirkwiti ta 'protezzjoni jistgħu jipproteġu b'mod effettiv il-PMOSFET u jestendu l-ħajja tas-servizz tiegħu.
Fil-qosor, PMOSFET huwa tip ta 'MOSFET bi struttura speċjali u prinċipju ta' ħidma. Il-mobilità baxxa tagħha u l-adegwatezza għal applikazzjonijiet ta 'veloċità baxxa u ta' frekwenza baxxa jagħmluha applikabbli b'mod wiesa 'f'oqsma speċifiċi. Meta jiġu ddisinjati ċirkwiti PMOSFET, jeħtieġ li tingħata attenzjoni lill-kontroll tal-vultaġġ tal-bieb, konnessjonijiet tat-tagħbija, stabbiltà tat-temperatura u ċirkwiti ta 'protezzjoni biex jiżguraw tħaddim tajjeb u affidabilità taċ-ċirkwit.
Ħin tal-post: 15-Settembru 2024
