X'inhuma l-użi tal-MOSFETs?

MOSFETshuma użati ħafna. Issa xi ċirkwiti integrati fuq skala kbira jintużaw MOSFET, il-funzjoni bażika u transistor BJT, qed jaqilbu u amplifikazzjoni. Bażikament BJT triode jista 'jintuża fejn jista' jintuża, u f'xi postijiet il-prestazzjoni hija aħjar mit-triode.

 

Amplifikazzjoni tal-MOSFET

MOSFET u BJT triode, għalkemm it-tnejn mezz amplifikatur semikondutturi, iżda aktar vantaġġi mill-triode, bħal reżistenza għolja input, is-sors tas-sinjal kważi l-ebda kurrent, li jwassal għall-istabbiltà tas-sinjal input. Huwa mezz ideali bħala amplifikatur tal-istadju tad-dħul, u għandu wkoll il-vantaġġi ta 'ħoss baxx u stabbiltà tajba fit-temperatura. Ħafna drabi jintuża bħala preamplifikatur għal ċirkwiti ta 'amplifikazzjoni tal-awdjo. Madankollu, minħabba li huwa apparat kurrenti kkontrollat ​​bil-vultaġġ, il-kurrent tad-drain huwa kkontrollat ​​mill-vultaġġ bejn is-sors tal-bieb, il-koeffiċjent ta 'amplifikazzjoni ta' transkonduttanza ta 'frekwenza baxxa ġeneralment mhuwiex kbir, għalhekk il-kapaċità ta' amplifikazzjoni hija fqira.

 

Effett tal-bidla tal-MOSFET

MOSFET użat bħala swiċċ elettroniku, minħabba li jiddependu biss fuq il-konduttività tal-polion, m'hemm l-ebda bħal BJT triode minħabba l-kurrent bażi u l-effett tal-ħażna tal-ħlas, għalhekk il-veloċità tal-bidla tal-MOSFET hija aktar mgħaġġla mit-triode, bħala tubu tal-iswiċċjar ħafna drabi jintuża għal okkażjonijiet ta 'kurrent għoli ta' frekwenza għolja, bħal provvisti ta 'enerġija li jaqilbu użati fil-MOSFET fl-istat ta' kurrent għoli ta 'frekwenza għolja tax-xogħol. Meta mqabbla ma 'swiċċijiet triode BJT, swiċċijiet MOSFET jistgħu joperaw f'vultaġġi u kurrenti iżgħar, u huma aktar faċli biex jintegraw fuq wejfers tas-silikon, u għalhekk jintużaw ħafna f'ċirkwiti integrati fuq skala kbira.

X'inhuma l-prekawzjonijiet meta tużaMOSFETs?

MOSFETs huma aktar delikati minn triodes u jistgħu jiġu mħassra faċilment minn użu mhux xieraq, għalhekk għandha tingħata attenzjoni speċjali meta tużahom.

(1) Huwa meħtieġ li tagħżel it-tip xieraq ta 'MOSFET għal okkażjonijiet ta' użu differenti.

(2) MOSFETs, speċjalment MOSFETs insulated-gate, għandhom impedenza ta 'input għolja, u għandhom ikunu shorted għal kull elettrodu meta ma jintużawx biex tiġi evitata ħsara lit-tubu minħabba l-ċarġ tal-inductance tal-bieb.

(3) Il-vultaġġ tas-sors tal-bieb tal-junction MOSFETs ma jistax jitreġġa 'lura, iżda jista' jiġi ffrankat fl-istat taċ-ċirkwit miftuħ.

(4) Sabiex tinżamm l-impedenza tad-dħul għolja tal-MOSFET, it-tubu għandu jkun protett mill-umdità u jinżamm niexef fl-ambjent tal-użu.

(5) Oġġetti ċċarġjati (bħal ħadid għall-issaldjar, strumenti tat-test, eċċ.) F'kuntatt mal-MOSFET jeħtieġ li jiġu ertjati biex tiġi evitata ħsara lit-tubu. Speċjalment meta l-iwweldjar MOSFET gate iżolat, skond is-sors - gate ordni sekwenzjali ta ' l-iwweldjar, l-aħjar huwa li weldjatura wara power off. Il-qawwa tal-ħadid tal-issaldjar għal 15 ~ 30W hija xierqa, ħin tal-iwweldjar m'għandux jaqbeż l-10 sekondi.

(6) MOSFET tal-bieb iżolat ma jistax jiġi ttestjat b'multimetru, jista 'jiġi ttestjat biss b'tester, u biss wara aċċess għat-tester biex jitneħħa l-wajers ta' short-circuit tal-elettrodi. Meta jitneħħa, huwa meħtieġ li short circuit l-elettrodi qabel it-tneħħija biex tiġi evitata gate overhang.

(7) Meta tużaMOSFETsbi sottostrat iwassal, il-substrat iwassal għandhom ikunu konnessi sew.