L-inverter'sMOSFETsjoperaw fi stat ta 'swiċċjar u l-kurrent li jgħaddi mit-tubi huwa għoli ħafna. Jekk it-tubu ma jintgħażelx sew, l-amplitudni tal-vultaġġ tas-sewqan mhix kbira biżżejjed jew id-dissipazzjoni tas-sħana taċ-ċirkwit mhix tajba, tista 'tikkawża li l-MOSFET jisħon.
1, inverter tisħin MOSFET huwa serju, għandhom jagħtu attenzjoni lill-għażla MOSFET
MOSFET fl-inverter fl-istat ta 'swiċċjar, ġeneralment jeħtieġu l-kurrent tad-drain tiegħu kemm jista' jkun kbir, ir-reżistenza fuq żgħira kemm jista 'jkun, li tista' tnaqqas il-waqgħa tal-vultaġġ ta 'saturazzjoni tat-tubu, u b'hekk tnaqqas it-tubu peress li l-konsum, tnaqqas is-sħana.
Iċċekkja l-manwal tal-MOSFET, insibu li iktar ma jkun għoli l-valur tal-vultaġġ tal-MOSFET, iktar ikun kbir ir-reżistenza tiegħu fuq, u dawk b'kurrent għoli ta 'drain u b'valur ta' vultaġġ baxx ta 'reżistenza tat-tubu, ir-reżistenza tiegħu ġeneralment tkun taħt għexieren ta' milliohms.
Jekk wieħed jassumi kurrent ta 'tagħbija ta' 5A, nagħżlu l-inverter użat komunement MOSFET RU75N08R u l-valur jiflaħ il-vultaġġ ta '500V 840 jista' jkun, il-kurrent tad-drain tagħhom huma f'5A jew aktar, iżda r-reżistenza fuq iż-żewġ tubi hija differenti, issuq l-istess kurrent , id-differenza tas-sħana tagħhom hija kbira ħafna. 75N08R fuq ir-reżistenza hija biss 0.008Ω, filwaqt li l-on-reżistenza tal-840 hija 0.85Ω, meta l-kurrent tat-tagħbija li jgħaddi mit-tubu huma 5A, waqgħa tal-vultaġġ tat-tubu 75N08R hija biss 0.04V, f'dan iż-żmien, il-konsum tat-tubu MOSFET huwa 0.2W biss, filwaqt li l-waqgħa tal-vultaġġ tat-tubu 840 tista 'tkun sa 4.25W, il-konsum tat-tubu huwa għoli daqs 21.25W. Minn dan jista 'jidher, l-iżgħar ir-reżistenza fuq il-MOSFET tal-inverter hija l-aħjar, ir-reżistenza fuq it-tubu hija kbira, il-konsum tat-tubu taħt kurrent għoli Ir-reżistenza fuq il-MOSFET tal-inverter hija żgħira kemm jista’ jkun.
2, iċ-ċirkwit tas-sewqan tal-amplitudni tal-vultaġġ tas-sewqan mhuwiex kbir biżżejjed
MOSFET huwa mezz ta 'kontroll tal-vultaġġ, jekk trid tnaqqas il-konsum tat-tubu, tnaqqas is-sħana,MOSFETL-amplitudni tal-vultaġġ tas-sewqan tal-bieb għandha tkun kbira biżżejjed biex issuq it-tarf tal-polz biex ikun wieqaf u dritta, tista 'tnaqqas il-waqgħa tal-vultaġġ tat-tubu, tnaqqas il-konsum tat-tubu.
3, id-dissipazzjoni tas-sħana MOSFET mhix kawża tajba
InverterMOSFETit-tisħin huwa serju. Peress li l-konsum tal-enerġija MOSFET tal-inverter huwa kbir, ix-xogħol ġeneralment jeħtieġ żona esterna kbira biżżejjed tas-sink tas-sħana, u l-heatsink estern u l-MOSFET innifsu bejn is-sink tas-sħana għandhom ikunu f'kuntatt mill-qrib ma '(ġeneralment meħtieġ li jkun miksi bi grass tas-silikonju termalment konduttiv ), jekk is-sink tas-sħana estern huwa iżgħar, jew il-kuntatt mas-sink tas-sħana tal-MOSFET stess ma jkunx qrib biżżejjed, jista 'jwassal għal tisħin ta' tubu.
Inverter MOSFET tisħin serju hemm erba 'raġunijiet għas-sommarju.
It-tisħin ħafif MOSFET huwa fenomenu normali, iżda tisħin serju, anke li jwassal biex it-tubu jinħaraq, hemm l-erba 'raġunijiet li ġejjin:
1, il-problema tad-disinn taċ-ċirkwit
Ħalli l-MOSFET jaħdem fi stat operattiv lineari, aktar milli fl-istat taċ-ċirkwit tal-iswiċċjar. Hija wkoll waħda mill-kawżi tat-tisħin MOSFET. Jekk l-N-MOS qed jagħmel il-bidla, il-vultaġġ tal-livell G għandu jkun ftit V ogħla mill-provvista tal-enerġija biex tkun kompletament mixgħula, filwaqt li l-P-MOS huwa l-oppost. Mhux miftuħ għal kollox u l-waqgħa tal-vultaġġ hija kbira wisq li tirriżulta f'konsum ta 'enerġija, l-impedenza DC ekwivalenti hija akbar, il-waqgħa tal-vultaġġ tiżdied, għalhekk U * I tiżdied ukoll, it-telf ifisser sħana. Dan huwa l-iżball l-aktar evitat fid-disinn taċ-ċirkwit.
2, frekwenza għolja wisq
Ir-raġuni ewlenija hija li xi kultant l-insegwiment eċċessiv ta 'volum, li jirriżulta fi frekwenza miżjuda, telf ta' MOSFET fuq il-kbar, għalhekk is-sħana tiżdied ukoll.
3, mhux biżżejjed disinn termali
Jekk il-kurrent huwa għoli wisq, il-valur nominali tal-kurrent tal-MOSFET, ġeneralment jeħtieġ dissipazzjoni tajba tas-sħana biex tinkiseb. Allura l-ID huwa inqas mill-kurrent massimu, jista 'wkoll jisħon ħażin, jeħtieġ biżżejjed sink tas-sħana awżiljarju.
4, l-għażla MOSFET hija żbaljata
Ġudizzju żbaljat tal-qawwa, ir-reżistenza interna MOSFET mhix ikkunsidrata bis-sħiħ, li tirriżulta f'impedenza akbar tal-iswiċċjar.
Ħin tal-post: Apr-22-2024
