Kif jaħdmu l-MOSFET?

1, MOSFETintroduzzjoni

FieldEffect Transistor abbrevjazzjoni (FET)) titolu MOSFET. minn numru żgħir ta 'trasportaturi biex jipparteċipaw fil-konduzzjoni tas-sħana, magħrufa wkoll bħala transistor multi-pole. Jappartjeni għal mekkaniżmu semi-superkonduttur tat-tip ta 'kontroll tal-vultaġġ. Qed ikun hemm reżistenza tal-ħruġ hija għolja (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), ħsejjes baxxi, konsum baxx ta 'enerġija, firxa statika, faċli biex tintegra, l-ebda fenomenu ta' tqassim tat-tieni, il-kompitu ta 'l-assigurazzjoni tal-baħar wiesa' u vantaġġi oħra, issa nbidlet it-transistor bipolari u t-transistor tal-junction tal-qawwa tal-kollaboraturi qawwija.

 

2, MOSFET karatteristiċi

1, MOSFET huwa mezz ta 'kontroll tal-vultaġġ, huwa permezz tal-VGS (vultaġġ tas-sors tal-bieb) ID tal-kontroll (drain DC);

2, MOSFET'sarblu DC tal-ħruġ huwa żgħir, għalhekk ir-reżistenza tal-ħruġ hija kbira.

3, hija l-applikazzjoni ta 'numru żgħir ta' trasportaturi biex imexxu s-sħana, għalhekk għandu miżura aħjar ta 'stabbiltà;

4, tikkonsisti mill-mogħdija tat-tnaqqis tal-koeffiċjent tat-tnaqqis elettriku hija iżgħar mit-triodu jikkonsisti mill-mogħdija tat-tnaqqis tal-koeffiċjent tat-tnaqqis;

5, MOSFET kapaċità kontra l-irradjazzjoni;

6, minħabba n-nuqqas ta 'attività difettuża tad-dispersjoni ta' oligon ikkawżata minn partiċelli mxerrda ta 'ħoss, għalhekk il-ħoss huwa baxx.

 

prinċipju tal-kompitu 3、MOSFET

MOSFET'sprinċipju operattiv f'sentenza waħda, huwa "drain - sors bejn l-ID li jgħaddi mill-kanal għall-bieb u l-kanal bejn il-junction pn iffurmat mill-preġudizzju invers tal-kaptan tal-vultaġġ tal-bieb ID", biex tkun preċiża, ID tgħaddi mill-wisa ' tal-mogħdija, jiġifieri, iż-żona trasversali tal-kanal, hija l-bidla fil-preġudizzju invers tal-junction pn, li tipproduċi saff ta 'tnaqqis Ir-raġuni għall-kontroll tal-varjazzjoni estiż. Fil-baħar mhux saturat ta 'VGS=0, peress li l-espansjoni tas-saff ta' transizzjoni mhix kbira ħafna, skond iż-żieda tal-kamp manjetiku ta 'VDS bejn id-drenaġġ-sors, xi elettroni fil-baħar sors jinġibdu 'l bogħod mill- drain, jiġifieri, hemm attività DC ID mill-fossa għas-sors. Is-saff moderat imkabbar mill-bieb għall-fossa jagħmel korp sħiħ tal-kanal jiffurmaw tip ta 'imblukkar, ID sħiħa. Sejħa din il-formola pinch-off. Jissimbolizza s-saff ta 'transizzjoni għall-kanal ta' ostruzzjoni sħiħa, aktar milli l-enerġija DC tinqata '.

 

Minħabba li m'hemm l-ebda moviment ħieles ta 'elettroni u toqob fis-saff ta' transizzjoni, għandu kważi proprjetajiet iżolanti fil-forma ideali, u huwa diffiċli għall-kurrent ġenerali li jgħaddi. Iżda mbagħad il-kamp elettriku bejn il-fossa - sors, fil-fatt, iż-żewġ saff ta 'transizzjoni kuntatt drain u gate pole ħdejn il-parti t'isfel, minħabba li l-kamp elettriku drift jiġbed l-elettroni ta' veloċità għolja permezz tas-saff ta 'transizzjoni. L-intensità tal-qasam tad-drift hija kważi kostanti li tipproduċi l-milja tax-xena tal-ID.

 

Iċ-ċirkwit juża taħlita ta 'MOSFET imtejjeb tal-kanal P u MOSFET imtejjeb tal-kanal N. Meta l-input huwa baxx, il-MOSFET tal-kanal P imexxi u l-output huwa konness mat-terminal pożittiv tal-provvista tal-enerġija. Meta l-input ikun għoli, il-MOSFET tal-kanal N imexxi u l-output huwa konness mal-art tal-provvista tal-enerġija. F'dan iċ-ċirkwit, il-MOSFET tal-kanal P u l-MOSFET tal-kanal N dejjem joperaw fi stati opposti, bl-inputs u l-outputs tal-fażi tagħhom maqluba.