QawwaMOSFET huwa een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" huwa ta 'Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap appparaat, de sleutel door het metaal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de function van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens het worden okanaverde. N-kanaal type mt P-kanaal type.
Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) huwa ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Il-Gwida għall-Informazzjoni tad-Dejta definiteert RDS(ON) fir-rigward tal-bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter għal voldoende gate drive.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET's parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS(ON), in het hele process van MOSFET selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parameters zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Fil-veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom u drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Għal dak li għandu x'jaqsam mas-SOA definiti ta' voedingsspanning en stroom waarbij ta' MOSFET voilig kan werken.
Għat-tipi ta 'hawn fuq ta' kundizzjonijiet ta 'tagħbija, wara li tistma (jew tkejjel) il-vultaġġ tat-tħaddim akbar, u mbagħad tħalli marġni ta' 20% sa 30%, tista 'tispeċifika l-valur VDS kurrenti nominali meħtieġ tal-MOSFET. Hawnhekk trid tgħid hija li, sabiex l-ispiża aħjar b'saħħitha u l-karatteristiċi bla xkiel, tista 'tagħżel fis-serje AC kurrenti diodes u indutturi fl-għeluq tal-kompożizzjoni tal-linja ta' kontroll kurrenti, rilaxx barra mill-kurrent induttiv enerġija kinetika biex iżommu l- MOSFET. kurrent nominali huwa ċar, il-kurrent jista 'jiġi dedott. Iżda hawnhekk trid tqis żewġ parametri: wieħed huwa l-valur tal-kurrent f'operazzjoni kontinwa u l-ogħla valur tal-spike tal-kurrent tal-polz wieħed (Spike u Surge), dawn iż-żewġ parametri biex jiddeċiedu kemm għandek tagħżel il-valur nominali tal- valur kurrenti.
Ħin tal-post: Mejju-27-2024
