I. Definizzjoni ta' MOSFET
Bħala apparat immexxi mill-vultaġġ, ta 'kurrent għoli, MOSFETs għandhom numru kbir ta 'applikazzjonijiet f'ċirkwiti, speċjalment sistemi ta' enerġija. Dajowds tal-ġisem MOSFET, magħrufa wkoll bħala dajowds parassitiċi, ma jinstabux fil-litografija ta 'ċirkwiti integrati, iżda jinstabu f'apparat MOSFET separat, li jipprovdu protezzjoni inversa u kontinwazzjoni tal-kurrent meta misjuqa minn kurrenti għolja u meta tagħbijiet induttivi huma preżenti.
Minħabba l-preżenza ta 'dan id-dijodu, l-apparat MOSFET ma jistax sempliċement jidher jaqleb f'ċirkwit, bħal f'ċirkwit tal-iċċarġjar fejn jintemm l-iċċarġjar, titneħħa l-enerġija u l-batterija terġa' lura 'l barra, li normalment ikun riżultat mhux mixtieq.
Is-soluzzjoni ġenerali hija li żżid dajowd fuq wara biex tipprevjeni provvista ta 'enerġija inversa, iżda l-karatteristiċi tad-dijodu jiddeterminaw il-ħtieġa għal waqgħa tal-vultaġġ 'il quddiem ta' 0.6 ~ 1V, li tirriżulta f'ġenerazzjoni serja ta 'sħana f'kurrenti għoljin filwaqt li tikkawża skart tal-enerġija u t-tnaqqis tal-effiċjenza ġenerali tal-enerġija. Metodu ieħor huwa li tehmeż MOSFET back-to-back, billi tuża r-reżistenza baxxa tal-MOSFET biex tinkiseb effiċjenza enerġetika.
Għandu jiġi nnutat li wara l-konduzzjoni, il-MOSFET mhux direzzjonali, hekk wara konduzzjoni taħt pressjoni, huwa ekwivalenti għal b'wajer, resistivi biss, l-ebda waqgħa tal-vultaġġ fuq l-istat, ġeneralment saturati fuq ir-reżistenza għal ftit milliohms biexmilliohms f'waqthom, u mhux direzzjonali, li jippermettu li tgħaddi l-enerġija DC u AC.
II. Karatteristiċi tal-MOSFETs
1, MOSFET huwa apparat ikkontrollat bil-vultaġġ, mhu meħtieġ l-ebda stadju ta 'propulsjoni biex issuq kurrenti għolja;
2、High input reżistenza;
3, firxa wiesgħa ta 'frekwenza operattiva, veloċità għolja ta' swiċċjar, telf baxx
4, AC komda impedenza għolja, ħsejjes baxxi.
5、Użu parallel multipli, iżid il-kurrent tal-ħruġ
It-tieni, l-użu ta 'MOSFETs fil-proċess ta' prekawzjonijiet
1, sabiex jiġi żgurat l-użu sikur tal-MOSFET, fid-disinn tal-linja, m'għandux jaqbeż id-dissipazzjoni tal-qawwa tal-pipeline, il-vultaġġ massimu tas-sors tat-tnixxija, il-vultaġġ tas-sors tal-bieb u l-valuri tal-limitu tal-kurrent u parametri oħra.
2, diversi tipi ta 'MOSFETs fl-użu, għandhomtkun strettament fi skond l-aċċess bias meħtieġ għaċ-ċirkwit, biex tikkonforma mal-polarità tal-offset MOSFET.
3. Meta tinstalla l-MOSFET, oqgħod attent għall-pożizzjoni ta 'installazzjoni biex tevita qrib l-element tat-tisħin. Sabiex tiġi evitata l-vibrazzjoni tal-fittings, il-qoxra għandha tkun issikkata; il-liwja tal-pin leads għandha titwettaq f'aktar mid-daqs ta 'l-għerq ta' 5mm biex tevita li l-pin jitgħawweġ u tnixxija.
4, minħabba l-impedenza tad-dħul estremament għolja, MOSFETs għandhom ikunu shorted barra mill-pin waqt it-trasportazzjoni u l-ħażna, u ppakkjati bl-ilqugħ tal-metall biex jipprevjenu tqassim potenzjali estern indott tal-bieb.
5. Il-vultaġġ tal-bieb tal-MOSFETs tal-junction ma jistax jitreġġa 'lura u jista' jinħażen fi stat ta 'ċirkwit miftuħ, iżda r-reżistenza tal-input ta' MOSFETs ta 'bieb iżolat hija għolja ħafna meta ma jkunux qed jintużaw, għalhekk kull elettrodu għandu jkun short-circuited. Meta issaldjar MOSFETs insulated-gate, segwi l-ordni tas-sors-drain-gate, u issaldjar bl-enerġija mitfija.
Biex tiżgura l-użu sikur tal-MOSFETs, trid tifhem bis-sħiħ il-karatteristiċi tal-MOSFETs u l-prekawzjonijiet li għandhom jittieħdu fl-użu tal-proċess, nittama li s-sommarju ta 'hawn fuq jgħinek.
Ħin tal-post: Mejju-15-2024
