Hemm ħafna varjazzjonijiet ta 'simboli ta' ċirkwit użati komunement għal MOSFETs. L-aktar disinn komuni huwa linja dritta li tirrappreżenta l-kanal, żewġ linji perpendikolari għall-kanal li jirrappreżentaw is-sors u d-drenaġġ, u linja iqsar parallela mal-kanal fuq ix-xellug li tirrappreżenta l-bieb. Xi drabi l-linja dritta li tirrappreżenta l-kanal hija wkoll sostitwita b'linja miksura biex tiddistingwi bejn il-mod ta 'titjibmosfet jew mosfet tal-mod ta 'tnaqqis, li huwa wkoll maqsum f'MOSFET N-channel u MOSFET P-channel żewġ tipi ta' simboli taċ-ċirkwit kif muri fil-figura (id-direzzjoni tal-vleġġa hija differenti).
Power MOSFETs jaħdmu f'żewġ modi ewlenin:
(1) Meta vultaġġ pożittiv jiġi miżjud ma 'D u S (drain pożittiv, sors negattiv) u UGS = 0, il-junction PN fir-reġjun tal-ġisem P u r-reġjun tad-drain N hija preġudikata b'lura, u m'hemm l-ebda kurrent li jgħaddi bejn D u S. Jekk jiżdied vultaġġ pożittiv UGS bejn G u S, l-ebda kurrent tal-bieb ma jgħaddi minħabba li l-bieb huwa iżolat, iżda vultaġġ pożittiv fil-bieb se jimbotta t-toqob 'il bogħod mir-reġjun P taħt, u l-elettroni trasportatur minoritarju se jiġu attirati lejn il-wiċċ tar-reġjun P Meta l-UGS ikun akbar minn ċertu vultaġġ UT, il-konċentrazzjoni tal-elettroni fuq il-wiċċ tar-reġjun P taħt il-bieb se taqbeż il-konċentrazzjoni tat-toqba, u b'hekk tagħmel is-saff ta 'antipattern semikonduttur tat-tip P semikonduttur tat-tip N. ; dan is-saff antipattern jifforma kanal tat-tip N bejn is-sors u d-drenaġġ, sabiex il-junction PN tisparixxi, is-sors u l-fossa konduttivi, u ID kurrenti tad-drenaġġ jgħaddi mill-fossa. UT tissejjaħ il-vultaġġ li jixgħel jew il-vultaġġ tal-limitu, u aktar ma UGS jaqbeż UT, aktar tkun konduttiva l-kapaċità konduttiva, u akbar tkun l-ID. Iktar ma l-UGS jaqbeż l-UT, iktar tkun b'saħħitha l-konduttività, akbar l-ID.
(2) Meta D, S flimkien ma 'vultaġġ negattiv (sors pożittiv, drain negattiv), il-junction PN hija preġudikata 'l quddiem, ekwivalenti għal dajowd tar-rivers intern (m'għandux karatteristiċi ta' rispons mgħaġġel), jiġifieri, il-MOSFET m'għandux kapaċità ta 'imblukkar invers, jista' jitqies bħala komponenti ta 'konduzzjoni inversa.
Mill-MOSFET prinċipju ta 'tħaddim jista' jidher, il-konduzzjoni tiegħu biss trasportaturi ta 'polarità waħda involuti fil-konduttiv, hekk magħruf ukoll bħala transistor unipolari.Drive MOSFET ħafna drabi hija bbażata fuq il-provvista ta' enerġija IC u parametri MOSFET biex tagħżel iċ-ċirkwit xieraq, MOSFET huwa ġeneralment użat għall-bidla ċirkwit tas-sewqan tal-provvista tal-enerġija. Meta tiddisinja provvista ta 'enerġija li tinxtegħel bl-użu ta' MOSFET, ħafna nies iqisu r-reżistenza fuq, il-vultaġġ massimu u l-kurrent massimu tal-MOSFET. Madankollu, in-nies ħafna drabi jikkunsidraw biss dawn il-fatturi, sabiex iċ-ċirkwit ikun jista 'jaħdem sew, iżda mhix soluzzjoni ta' disinn tajba. Għal disinn aktar dettaljat, il-MOSFET għandu jikkunsidra wkoll l-informazzjoni tal-parametri tiegħu stess. Għal MOSFET definit, iċ-ċirkwit tas-sewqan tiegħu, l-ogħla kurrent tal-output tas-sewqan, eċċ., Se jaffettwa l-prestazzjoni tal-iswiċċjar tal-MOSFET.
Ħin tal-post: Mejju-17-2024
