Għażla MOSFET | Prinċipji ta' Kostruzzjoni MOSFET N-Channel

MOSFET li jikkonsisti f'sottostrat tat-tip p u żewġ żoni ta' n-tixrid b'valuri ta' konċentrazzjoni għolja jissejjaħ n-channelMOSFET, u l-kanal konduttiv ikkawżat minn kanal konduttiv tat-tip n huwa kkawżat mill-mogħdijiet ta 'n-tixrid fiż-żewġ mogħdijiet ta' n-tixrid b'valuri ta 'konċentrazzjoni għolja meta t-tubu jmexxi. MOSFETs mħaxxna n-kanal għandhom l-n-kanal ikkawżat minn kanal konduttiv meta bias direzzjonali pożittiv jitqajjem kemm jista 'jkun fil-bieb u biss meta l-operazzjoni tas-sors tal-bieb teħtieġ vultaġġ operattiv li jaqbeż il-vultaġġ tal-limitu. MOSFETs tat-tnaqqis tal-kanal n huma dawk li mhumiex lesti għall-vultaġġ tal-bieb (l-operazzjoni tas-sors tal-bieb teħtieġ vultaġġ operattiv ta 'żero). MOSFET tat-tnaqqis tad-dawl n-channel huwa MOSFET n-channel li fih il-kanal konduttiv huwa kkawżat meta l-vultaġġ tal-bieb (il-vultaġġ operattiv tal-ħtieġa operattiva tas-sors tal-bieb huwa żero) ma jkunx ippreparat.

      Iċ-ċirkwiti integrati NMOSFET huma ċirkwiti ta 'provvista ta' enerġija MOSFET N-channel, ċirkwiti integrati NMOSFET, ir-reżistenza tad-dħul hija għolja ħafna, il-maġġoranza l-kbira m'għandhomx għalfejn jiddiġerixxu l-assorbiment tal-fluss tal-enerġija, u għalhekk iċ-ċirkwiti integrati CMOSFET u NMOSFET konnessi mingħajr ma jkollhom għalfejn jieħdu f' kont it-tagħbija tal-fluss tal-enerġija. Ċirkwiti integrati NMOSFET, il-maġġoranza l-kbira tal-għażla ta 'ċirkwiti tal-provvista tal-enerġija taċ-ċirkwit tal-provvista tal-enerġija tal-iswiċċjar pożittiv ta' grupp wieħed Il- maġġoranza ta 'ċirkwiti integrati NMOSFET jużaw ċirkwit wieħed pożittiv ta' provvista ta 'enerġija ta' swiċċjar ċirkwit ta 'provvista ta' enerġija, u għal 9V għal aktar. Iċ-ċirkwiti integrati CMOSFET jeħtieġu biss li jużaw l-istess ċirkwit tal-provvista tal-enerġija taċ-ċirkwit tal-provvista tal-enerġija bħaċ-ċirkwiti integrati NMOSFET, jistgħu jiġu konnessi ma 'ċirkwiti integrati NMOSFET immedjatament. Madankollu, minn NMOSFET għal CMOSFET imqabbda immedjatament, minħabba li r-reżistenza pull-up tal-ħruġ tal-NMOSFET hija inqas mir-reżistenza pull-up taċ-ċirkwit integrat CMOSFET keyed, għalhekk ipprova tapplika differenza potenzjali pull-up resistor R, il-valur tar-reżistenza R huwa ġeneralment 2 sa 100KΩ.