Għarfien tad-Disinn MOSFET tal-Pakkett Kbir

Meta tiddisinja provvista ta 'enerġija li tiswiċċja jew ċirkwit ta' drajv tal-mutur bl-użu ta 'pakkett kbir MOSFET, ħafna nies iqisu r-reżistenza fuq il-MOSFET, il-vultaġġ massimu, eċċ., Il-kurrent massimu, eċċ., U hemm ħafna li jqisu biss dawn il-fatturi . Ċirkwiti bħal dawn jistgħu jaħdmu, iżda mhumiex eċċellenti u mhumiex permessi bħala disinji formali tal-prodott.

Dan li ġej huwa sommarju żgħir tal-baŜi tal-MOSFETs u ċ-ċirkwiti tas-sewwieq MOSFET, li jirreferi xi informazzjoni, mhux kollha oriġinali. Inkluża l-introduzzjoni ta 'MOSFET, karatteristiċi, ċirkwiti tas-sewqan u l-applikazzjoni.

1, MOSFET tip u struttura: MOSFET huwa FET (JFET ieħor), jista 'jiġi manifatturat f'tip imtejjeb jew ta' tnaqqis, kanal P jew kanal N total ta 'erba' tipi, iżda l-applikazzjoni attwali ta 'MOSFETs N-channel imtejba biss u MOSFETs tal-kanal P imtejba, għalhekk normalment imsejħa NMOSFETs, PMOSFETs jirreferu għal dawn it-tnejn.