Kif tiddetermina l-MOSFET ta 'qawwa għolja jinħaraq permezz tal-ħruq

(1) MOSFET huwa element li jimmanipula l-vultaġġ, filwaqt li t-transistor huwa element li jimmanipula l-kurrent. Fil-ħila tas-sewqan mhix disponibbli, il-kurrent tas-sewqan huwa żgħir ħafna, għandu jintgħażelMOSFET; u fil-vultaġġ tas-sinjal huwa baxx, u wiegħed li tieħu aktar kurrent mill-kondizzjonijiet tal-istadju tas-sewqan tal-magni tas-sajd elettriku, għandhom jintgħażlu transistor.

(2) MOSFET huwa l-użu tal-biċċa l-kbira tat-trasportaturi konduttivi, hekk imsejjaħ apparat unipolari, filwaqt li t-transistor huwa li hemm maġġoranza ta 'trasportaturi, iżda wkoll l-użu ta' numru żgħir ta 'trasportaturi konduttivi. Huwa msejjaħ apparat bipolari.

(3) Xi wħudMOSFET sors u drain jistgħu jiġu skambjati għall-użu tal-vultaġġ gate jistgħu jkunu pożittivi jew negattivi, il-flessibilità milli l-transistor hija tajba.

(4) MOSFET jista 'jopera f'kundizzjonijiet ta' kurrent żgħir ħafna u vultaġġ baxx ħafna, u l-proċess ta 'produzzjoni tiegħu jista' jkun konvenjenti ħafna biex jintegra ħafna MOSFETs f'ċippa tas-silikon, għalhekk MOSFETs f'ċirkwiti integrati fuq skala kbira intużaw ħafna.

(5) MOSFET għandu l-vantaġġi ta 'impedenza ta' input għolja u ħsejjes baxxi, għalhekk huwa wkoll użat ħafna f'varjetà ta 'tagħmir tan-nases elettroniċi. Speċjalment mat-tubu tal-effett tal-kamp biex tagħmel l-input kollu tat-tagħmir elettroniku, l-istadju tal-ħruġ, tista 'tikseb it-transistor ġenerali huwa diffiċli biex tilħaq il-funzjoni.

(6)MOSFETs huma maqsuma f'żewġ kategoriji: tip ta 'junction aħmar u tip ta' gate iżolat, u l-prinċipji ta 'manipulazzjoni tagħhom huma l-istess.

Fil-fatt, it-triode huwa orħos u aktar konvenjenti biex jintuża, komunement użat fis-sajjieda qodma ta 'frekwenza baxxa, MOSFET għal ċirkwiti ta' frekwenza għolja ta 'veloċità għolja, okkażjonijiet ta' kurrent għoli, għalhekk it-tip ġdid ta 'sajjieda ultrasoniku ta' frekwenza għolja, essenzjali huwa l-MOS kbir. ġeneralment, okkażjonijiet bi prezz baxx, l-użu ġenerali ta 'l-ewwel biex tikkunsidra l-użu ta' transistors, mhux jekk trid tikkunsidra l-MOS.

MOSFET huwa raġunijiet ta 'tqassim u s-soluzzjonijiet huma kif ġej

L-ewwel, ir-reżistenza tad-dħul tal-MOSFET innifsu hija għolja ħafna, u l-grada - sors inter-elettrodu capacitance hija żgħira ħafna, għalhekk hija suxxettibbli ħafna għal kampi elettromanjetiċi esterni jew induttanza elettrostatika u ċċarġjata, u jista 'jiġi ffurmat ammont żgħir ta' ħlas fil-capacitance inter-elettrodu tal-vultaġġ għoli xieraq (U = Q / C), se jkun bil-ħsara tubu. Għalkemm l-input MOS tal-magna tas-sajd elettriku għandu miżuri ta 'manutenzjoni anti-statiku, iżda xorta jeħtieġ li jiġi ttrattat b'attenzjoni, fil-ħażna u l-kunsinna tal-aħjar kontenituri tal-metall jew ippakkjar ta' materjali konduttivi, ma tpoġġix faċli biex tattakka vultaġġ għoli statiku materjali kimiċi jew drappijiet tal-fibra kimiċi. L-assemblaġġ, il-kummissjonar, l-affarijiet, id-dehra, il-post tax-xogħol, eċċ għandhom ikunu ert pendenti. Biex tiġi evitata l-ħsara ta 'interferenza elettrostatika ta' l-operatur, bħal m'għandhomx jilbsu najlon, ħwejjeġ tal-fibra kimika, idejn jew xi ħaġa qabel ma tmiss il-blokka integrata huwa aħjar li tgħaqqad l-art. Għat-tagħmir ċomb iddrittar u liwi jew iwweldjar manwali, l-użu ta 'tagħmir huwa meħtieġ għall-ert pendenti.