Kapaċità tal-bieb, on-resistance u parametri oħra ta 'MOSFETs

I. Kapaċità tal-bieb

Il-kapaċità tal-bieb tinkludi prinċipalment il-kapaċità tad-dħul (Ciss), il-kapaċità tal-ħruġ (Coss) u l-kapaċità tat-trasferiment invers (Crss, magħrufa wkoll bħala kapaċità Miller).

Kapaċità tad-dħul (Ciss):

DEFINIZZJONI: Il-kapaċità tad-dħul hija l-kapaċità totali bejn il-grada u s-sors u d-drenaġġ, u tikkonsisti mill-kapaċità tas-sors tal-bieb (Cgs) u l-kapaċità tad-drenaġġ tal-bieb (Cgd) konnessi b'mod parallel, jiġifieri Ciss = Cgs + Cgd.

Funzjoni: Il-kapaċità tal-input taffettwa l-veloċità tal-iswiċċjar tal-MOSFET. Meta l-kapaċità tad-dħul tiġi ċċarġjata għal vultaġġ ta 'limitu, l-apparat jista' jinxtegħel; skarikat għal ċertu valur, l-apparat jista 'jiġi mitfi. Għalhekk, iċ-ċirkwit tas-sewqan u Ciss għandhom impatt dirett fuq id-dewmien tat-tixgħil u t-tifi tal-apparat.

Kapaċità tal-ħruġ (Coss):

Definizzjoni: Il-kapaċità tal-ħruġ hija l-kapaċità totali bejn id-drenaġġ u s-sors, u tikkonsisti mill-kapaċità tad-drain-source (Cds) u l-kapaċità tal-gate-drain (Cgd) b'mod parallel, jiġifieri Coss = Cds + Cgd.

Rwol: F'applikazzjonijiet ta 'swiċċjar artab, Coss huwa importanti ħafna minħabba li jista' jikkawża reżonanza fiċ-ċirkwit.

Kapaċità tat-Trażmissjoni Reverse (Crss):

Definizzjoni: Il-kapaċità tat-trasferiment invers hija ekwivalenti għall-kapaċità tad-drain tal-bieb (Cgd) u ħafna drabi tissejjaħ il-kapaċità Miller.

Rwol: Il-kapaċità tat-trasferiment invers hija parametru importanti għall-ħinijiet ta 'żieda u waqgħa tal-iswiċċ, u taffettwa wkoll il-ħin ta' dewmien tat-tifi. Il-valur tal-kapaċità jonqos hekk kif tiżdied il-vultaġġ tas-sors tad-drain.

II. On-reżistenza (Rds(on))

Definizzjoni: On-resistance hija r-reżistenza bejn is-sors u d-drejn ta 'MOSFET fl-istat on taħt kundizzjonijiet speċifiċi (eż., kurrent ta' tnixxija speċifiku, vultaġġ tal-bieb, u temperatura).

Fatturi li jinfluwenzaw: On-reżistenza mhix valur fiss, hija affettwata mit-temperatura, iktar ma tkun għolja t-temperatura, iktar ikun kbir l-Rds(on). Barra minn hekk, iktar ma jkun għoli l-vultaġġ li jiflaħ, iktar tkun ħoxna l-istruttura interna tal-MOSFET, iktar tkun għolja r-reżistenza korrispondenti.

Importanza: Meta tiddisinja provvista ta 'enerġija li tinxtegħel jew ċirkwit tas-sewwieq, huwa meħtieġ li tiġi kkunsidrata r-reżistenza mixgħula tal-MOSFET, minħabba li l-kurrent li jgħaddi mill-MOSFET se jikkonsma l-enerġija fuq din ir-reżistenza, u din il-parti tal-enerġija kkunsmata tissejjaħ on- telf tar-reżistenza. L-għażla ta 'MOSFET b'reżistenza baxxa tista' tnaqqas it-telf ta 'reżistenza.

It-tielet, parametri importanti oħra

Minbarra l-capacitance tal-bieb u r-reżistenza fuq, il-MOSFET għandu xi parametri importanti oħra bħal:

V(BR)DSS (Vultaġġ ta' Tkissir tas-Sors tad-Drain):Il-vultaġġ tas-sors tad-drenaġġ li fih il-kurrent li jgħaddi mill-fossa jilħaq valur speċifiku f'temperatura speċifika u bis-sors tal-bieb imqassar. Aktar minn dan il-valur, it-tubu jista 'jkun bil-ħsara.

VGS(th) (Vultaġġ Limitu):Il-vultaġġ tal-bieb meħtieġ biex jikkawża li jibda jifforma kanal konduttur bejn is-sors u d-drejn. Għal MOSFETs standard N-channel, VT huwa madwar 3 sa 6V.

ID (Kurrent Massimu Kontinwu ta' Drain):Il-kurrent DC kontinwu massimu li jista 'jiġi permess miċ-ċippa fit-temperatura tal-junction ratata massima.

IDM (kurrent massimu ta' drain pulsat):Jirrifletti l-livell ta 'kurrent pulsat li l-apparat jista' jimmaniġġja, bil-kurrent pulsat ikun ħafna ogħla mill-kurrent DC kontinwu.

PD (dissipazzjoni tal-qawwa massima):l-apparat jista 'jxerred il-konsum massimu ta' enerġija.

Fil-qosor, il-kapaċitanza tal-bieb, ir-reżistenza fuq u parametri oħra ta 'MOSFET huma kritiċi għall-prestazzjoni u l-applikazzjoni tiegħu, u jeħtieġ li jintgħażlu u jiġu ddisinjati skont xenarji u rekwiżiti ta' applikazzjoni speċifiċi.