WSR140N12 N-kanal 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Mudell:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

ID:140A

Kanal:N-kanal

Pakkett:TO-220-3L

Prodott Sajf:Il-vultaġġ ta 'WSR140N12 MOSFET huwa 120V, il-kurrent huwa 140A, ir-reżistenza hija 5mΩ, il-kanal huwa N-channel, u l-pakkett huwa TO-220-3L.

Applikazzjonijiet:Provvista ta 'enerġija, apparat mediku, maġġuri, BMS eċċ.

Ibgħat email lilna PDF

Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni Ġenerali

Il-WSR140N12 huwa l-ogħla prestazzjoni trinka N-ch MOSFET b'densità ta 'ċelluli għolja estrema, li jipprovdu RDSON eċċellenti u ħlas ta' gate għall-biċċa l-kbira tal-applikazzjonijiet tal-konvertitur buck sinkroniku.Il-WSR140N12 jissodisfa r-rekwiżit ta 'RoHS u Green Product, 100% EAS garantit b'affidabilità tal-funzjoni sħiħa approvata.

Karatteristiċi

Teknoloġija tat-Trench ta 'densità għolja ta' ċelluli avvanzata, Charge Super Low Gate, Tnaqqis Eċċellenti ta 'l-effett ta' CdV/dt, 100% EAS Garantit, Apparat Aħdar Disponibbli.

Applikazzjonijiet

Konvertitur Buck Sinkroniku ta 'Punt ta' Tagħbija ta 'Frekwenza Għolja, Sistema ta' Enerġija DC-DC tan-Netwerking, Provvista ta 'enerġija, mediċi, apparat ewlieni, BMS eċċ.

numru tal-materjal korrispondenti

ST STP40NF12 eċċ.

Parametri importanti

Simbolu	Parametru	Klassifikazzjoni	Unitajiet
VDS	Drain-Source Vultaġġ	120	V
VGS	Vultaġġ Gate-Source	±20	V
ID	Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS @ 10V (TC=25℃)	140	A
IDM	Ixxotta Pulsed Kurrent	330	A
EAS	Enerġija valanga tal-Impuls Uniku	400	mJ
PD	Dissipazzjoni totali tal-Enerġija... C=25℃)	192	W
RθJA	Reżistenza termali, junction-ambjent	62	℃/W
RθJC	Reżistenza termali, junction-case	0.65	℃/W
TSTG	Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna	-55 sa 150	℃
TJ	Firxa tat-Temperatura tal-Junction Operattiva	-55 sa 150	℃

Simbolu	Parametru	Kundizzjonijiet	Min.	Tip.	Max.	Unità
BVDSS	Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source	VGS=0V , ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Ħlas totali tal-bieb	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	Ħlas tal-Bieb-Sors		---	18.1	---
Qgd	Ħlas tal-Gat-Ixxotta		---	15.9	---
Td(on)	Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Ħin ta' Tlugħ		---	33.0	---
Td (mitfi)	Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ		---	59.5	---
Tf	Ħin tal-waqgħa		---	11.7	---
Ciss	Kapaċità tad-dħul	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	---	5823	---	pF
Coss	Kapaċità tal-ħruġ		---	778.3	---
Crss	Kapaċità tat-Trasferiment Reverse		---	17.5	---