WSP6067A N&P-Kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET Dehru Image

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Mudell:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

ID:7A/-5A

Kanal:N&P-Kanal

Pakkett:SOP-8

Prodott Sajf:Il-MOSFET WSP6067A għandu firxa ta 'vultaġġ ta' 60 volt pożittiv u negattiv, firxa ta 'kurrent ta' 7 amps pożittivi u 5 amps negattivi, firxa ta 'reżistenza ta' 38 milliohms u 80 milliohms, N&P-Channel, u huwa ppakkjat f'SOP-8.

Applikazzjonijiet:Sigaretti elettroniċi, ċarġers mingħajr fili, magni, drones, kura tas-saħħa, ċarġers tal-karozzi, kontrolli, apparat diġitali, apparat żgħir, u elettronika għall-konsumaturi.

Ibgħat email lilna PDF

Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni Ġenerali

Il-MOSFETs WSP6067A huma l-aktar avvanzati għat-teknoloġija tat-trinka P-ch, b'densità għolja ħafna ta 'ċelloli.Huma jagħtu prestazzjoni eċċellenti f'termini kemm tal-RDSON kif ukoll tal-gate charge, adattati għall-biċċa l-kbira tal-konvertituri sinkroniċi tal-buk.Dawn il-MOSFETs jissodisfaw il-kriterji RoHS u Green Product, b'100% EAS li jiggarantixxu affidabilità funzjonali sħiħa.

Karatteristiċi

It-teknoloġija avvanzata tippermetti formazzjoni ta 'trinka ta' ċelluli ta 'densità għolja, li tirriżulta f'ċarġ ta' gate super baxx u tħassir ta 'effett CdV/dt superjuri.L-apparati tagħna jiġu b'garanzija 100% EAS u huma favur l-ambjent.

Applikazzjonijiet

Konvertitur Buck Sinkroniku ta’ Punt ta’ Tagħbija ta’ Frekwenza Għolja, Sistema ta’ Enerġija DC-DC tan-Netwerking, Swiċċ tat-Tagħbija, E-sigaretti, iċċarġjar mingħajr fili, muturi, drones, tagħmir mediku, ċarġers tal-karozzi, kontrolluri, apparat elettroniku, apparat żgħir tad-dar, u elettronika għall-konsumatur .

numru tal-materjal korrispondenti

AOS

Parametri importanti

Simbolu	Parametru	Klassifikazzjoni		Unitajiet
Simbolu	Parametru	N-Kanal	P-Kanal	Unitajiet
VDS	Drain-Source Vultaġġ	60	-60	V
VGS	Vultaġġ Gate-Source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kurrent Kontinwu tal-Ixxotta, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100℃	Kurrent Kontinwu tal-Ixxotta, VGS @ 10V1	4.0	-2.5	A
IDM	Pulsed Drain Current2	28	-20	A
EAS	Enerġija valanga tal-Impuls Uniku3	22	28	mJ
IAS	Kurrent tal-valanga	21	-24	A
PD@TC=25℃	Dissipazzjoni totali tal-Qawwa4	2.0	2.0	W
TSTG	Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna	-55 sa 150	-55 sa 150	℃
TJ	Firxa tat-Temperatura tal-Junction Operattiva	-55 sa 150	-55 sa 150	℃

Simbolu	Parametru	Kundizzjonijiet	Min.	Tip.	Max.	Unità
BVDSS	Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koeffiċjent tat-Temperatura BVDSS	Referenza għal 25℃, ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb	VGS=VDS , ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	Koeffiċjent tat-Temperatura VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduttanza 'l quddiem	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Reżistenza tal-bieb	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Ħlas totali tal-bieb (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Ħlas tal-Bieb-Sors		---	2.6	---
Qgd	Ħlas tal-Gat-Ixxotta		---	4.1	---
Td(on)	Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel	VDD=30V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Ħin ta' Tlugħ		---	34	---
Td (mitfi)	Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ		---	23	---
Tf	Ħin tal-waqgħa		---	6	---
Ciss	Kapaċità tad-dħul	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Kapaċità tal-ħruġ		---	65	---
Crss	Kapaċità tat-Trasferiment Reverse		---	45	---