WSF6012 N&P-Kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET Dehru Dehru Image

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Mudell:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Kanal:N&P-Kanal

Pakkett:TO-252-4L

Prodott Sajf:Il-MOSFET WSF6012 għandu firxa ta 'vultaġġ ta' 60V u -60V, jista 'jimmaniġġja kurrenti sa 20A u -15A, għandu reżistenza ta' 28mΩ u 75mΩ, għandu kemm N&P-Channel, u huwa ppakkjat f'TO-252-4L.

Applikazzjonijiet:Sigaretti elettroniċi, ċarġers mingħajr fili, muturi, backups tal-enerġija, drones, kura tas-saħħa, ċarġers tal-karozzi, kontrolluri, elettronika, apparat, u oġġetti tal-konsumatur.

Ibgħat email lilna PDF

Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni Ġenerali

Il-MOSFET WSF6012 huwa apparat ta 'prestazzjoni għolja b'disinn ta' densità għolja taċ-ċelluli.Jipprovdi RDSON eċċellenti u ħlas gate adattat għall-biċċa l-kbira tal-applikazzjonijiet sinkroniċi tal-konvertitur buck.Barra minn hekk, jissodisfa r-rekwiżiti ta 'RoHS u Green Product, u jiġi b'garanzija ta' 100% EAS għal funzjonalità u affidabilità sħiħa.

Karatteristiċi

Teknoloġija tat-Trench Avvanzata b'Densità Għolja taċ-Ċelloli, Ħlas Super Low Gate, Effett Eċċellenti CdV/dt Tnaqqis, Garanzija ta '100% EAS, u Għażliet ta' Apparat favur l-Ambjent.

Applikazzjonijiet

Konvertitur Buck Sinkroniku ta’ Punt ta’ Tagħbija ta’ Frekwenza Għolja, Sistema ta’ Enerġija DC-DC tan-Netwerking, Swiċċ tat-Tagħbija, E-sigaretti, iċċarġjar mingħajr fili, muturi, provvisti ta’ enerġija ta’ emerġenza, drones, kura tas-saħħa, ċarġers tal-karozzi, kontrolluri, apparat diġitali, apparat żgħir tad-dar, u elettronika għall-konsumatur.

numru tal-materjal korrispondenti

AOS AOD603A,

Parametri importanti

Simbolu	Parametru	Klassifikazzjoni		Unitajiet
Simbolu	Parametru	N-Kanal	P-Kanal	Unitajiet
VDS	Drain-Source Vultaġġ	60	-60	V
VGS	Vultaġġ Gate-Source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kurrent Kontinwu tal-Ixxotta, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Kurrent Kontinwu tal-Ixxotta, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulsed Drain Current2	46	-36	A
EAS	Enerġija valanga tal-Impuls Uniku3	200	180	mJ
IAS	Kurrent tal-valanga	59	-50	A
PD@TC=25℃	Dissipazzjoni totali tal-Qawwa4	34.7	34.7	W
TSTG	Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna	-55 sa 150	-55 sa 150	℃
TJ	Firxa tat-Temperatura tal-Junction Operattiva	-55 sa 150	-55 sa 150	℃

Simbolu	Parametru	Kundizzjonijiet	Min.	Tip.	Max.	Unità
BVDSS	Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koeffiċjent tat-Temperatura BVDSS	Referenza għal 25℃, ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb	VGS=VDS , ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	Koeffiċjent tat-Temperatura VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduttanza 'l quddiem	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Reżistenza tal-bieb	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Ħlas totali tal-bieb (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Ħlas tal-Bieb-Sors		---	3.5	---
Qgd	Ħlas tal-Gat-Ixxotta		---	6.3	---
Td(on)	Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel	VDD=30V, VGS=4.5V, RG=3.3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Ħin ta' Tlugħ		---	14.2	---
Td (mitfi)	Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ		---	24.6	---
Tf	Ħin tal-waqgħa		---	4.6	---
Ciss	Kapaċità tad-dħul	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Kapaċità tal-ħruġ		---	70	---
Crss	Kapaċità tat-Trasferiment Reverse		---	35	---