WSD75100DN56 N-kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prodotti

WSD75100DN56 N-kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Parti:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ID:100A

RDSON:5.3mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakkett:DFN5X6-8


Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Ħarsa ġenerali tal-prodott WINSOK MOSFET

Il-vultaġġ ta 'WSD75100DN56 MOSFET huwa 75V, il-kurrent huwa 100A, ir-reżistenza hija 5.3mΩ, il-kanal huwa N-channel, u l-pakkett huwa DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET oqsma ta 'applikazzjoni

E-sigaretti MOSFET, MOSFET iċċarġjar mingħajr fili, drones MOSFET, MOSFET tal-kura medika, ċarġers tal-karozzi MOSFET, kontrolluri MOSFET, prodotti diġitali MOSFET, apparat domestiku żgħir MOSFET, elettronika għall-konsumatur MOSFET.

WINSOK MOSFET jikkorrispondi għal numri oħra ta 'materjal tad-ditta

Aos mosfet aon6276, aon6278, aon628, aon6282, aon6448.onsemi, fairchild mosfet nvmfs6h824n.stmicroelectronics mosfet stl1n8f7.infineon, ir Mosfet bsc42ne7ns3g, bsc36ne7ns3g.potens semondct C7966X.

Parametri MOSFET

Simbolu

Parametru

Klassifikazzjoni

Unitajiet

VDS

Drain-Source Vultaġġ

75

V

VGS

Gate-Source Vultaġġ

±25

V

TJ

Temperatura massima tal-junction

150

°C

ID

Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna

-55 sa 150

°C

IS

Diode Kontinwu 'l quddiem Kurrenti, TC=25°C

50

A

ID

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Pulsed Drain Current, TC=25°C

400

A

PD

Dissipazzjoni tal-Qawwa Massima,TC=25°C

155

W

Dissipazzjoni tal-Qawwa Massima,TC=100°C

62

W

RθJA

Reżistenza Termali-Junction għall-Ambjent ,t =10s ̀

20

°C

Reżistenza termali-junction għall-ambjent, Stat fiss

60

°C

RqJC

Reżistenza Termali-Junction għall-Każ

0.8

°C

IAS

Kurrent tal-valanga, Polz Uniku, L=0.5mH

30

A

EAS

Enerġija valanga, Polz Uniku, L=0.5mH

225

mJ

 

Simbolu

Parametru

Kundizzjonijiet

Min.

Tip.

Max.

Unità

BVDSS

Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source VGS=0V , ID=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoeffiċjent tat-Temperatura Referenza għal 25, ID=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Drejn-Sors statiku On-Reżistenza2 VGS=10V , ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koeffiċjent tat-Temperatura

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source VDS=48V , VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V , VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transkonduttanza 'l quddiem VDS=5V , ID=20A

---

50

---

S

Rg

Reżistenza tal-bieb VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Ħlas totali tal-bieb (10V) VDS=20V , VGS=10V , ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Ħlas tal-Bieb-Sors

---

20

---

Qgd

Ħlas tal-Gat-Ixxotta

---

17

---

Td(on)

Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel VDD=30V , VĠEN=10V , RG=1Ω, ID=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Ħin ta' Tlugħ

---

14

26

Td (mitfi)

Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ

---

60

108

Tf

Ħin tal-waqgħa

---

37

67

Ciss

Kapaċità tad-dħul VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Kapaċità tal-ħruġ

245

395

652

Crss

Kapaċità tat-Trasferiment Reverse

100

195

250


  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

  • Ikteb il-messaġġ tiegħek hawn u ibgħatilna