WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 P-channel -100V -34A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Parti:WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56

BVDSS:-100V

ID:-34A

RDSON:32mΩ

Kanal:P-kanal

Pakkett:DFN5X6-8

Ibgħat email lilna PDF

Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Ħarsa ġenerali tal-prodott WINSOK MOSFET

Il-vultaġġ ta 'WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 MOSFET huwa -100V, il-kurrent huwa -34A, ir-reżistenza hija 32mΩ, il-kanal huwa P-channel, u l-pakkett huwa DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET oqsma ta 'applikazzjoni

E-sigaretti MOSFET, MOSFET iċċarġjar mingħajr fili, MOSFET bil-mutur, MOSFET drone, MOSFET mediku, MOSFET ċarġer tal-karozzi, MOSFET kontrollur, MOSFET prodott diġitali, MOSFET apparat domestiku żgħir, MOSFET elettronika għall-konsumatur.

WINSOK MOSFET jikkorrispondi għal numri oħra ta 'materjal tad-ditta

Sinopower MOSFET SM1A33PSKP.

VISHAY MOSFET Si7489DP.

Parametri MOSFET

Numru tal-parti	Konfigurazzjoni	Tip	VDS	VGS	ID (A)	RDS(ON)(mΩ)						RDS(ON)(mΩ)				Ciss	Pakkett
			VDS	VGS	ID (A)	@10V		@6V		@4.5V		@2.5V		@1.8V		Ciss
			(V)	±(V)	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	(pF)

WSD50P10DN56	Uniku	P-Ch	-100	20	-34	32	40	-	-	38	51	-	-	-	-	2480	DFN5X6-8
WSD50P10ADN56	Uniku	P-Ch	-100	20	-40	62	81	-	-	-	-	-	-	-	-	2590	DFN5X6-8