WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prodotti

WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Parti:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14.5mΩ

Kanal:N-kanal

Pakkett:DFN5X6-8


Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Ħarsa ġenerali tal-prodott WINSOK MOSFET

Il-vultaġġ ta 'WSD45N10GDN56 MOSFET huwa 100V, il-kurrent huwa 45A, ir-reżistenza hija 14.5mΩ, il-kanal huwa N-channel, u l-pakkett huwa DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET oqsma ta 'applikazzjoni

E-sigaretti MOSFET, iċċarġjar mingħajr fili MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, kura medika MOSFET, ċarġers tal-karozzi MOSFET, kontrolluri MOSFET, prodotti diġitali MOSFET, apparat domestiku żgħir MOSFET, elettronika għall-konsumatur MOSFET.

WINSOK MOSFET jikkorrispondi għal numri oħra ta 'materjal tad-ditta

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semikondutturi MOSFET PDC966X.

Parametri MOSFET

Simbolu

Parametru

Klassifikazzjoni

Unitajiet

VDS

Drain-Source Vultaġġ

100

V

VGS

Gate-Source Vultaġġ

±20

V

ID@TC=25

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Kurrent Kontinwu tad-Drain, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Ixxotta Pulsed Kurrent

130

A

EASb

Enerġija valanga tal-Impuls Uniku

169

mJ

IASb

Kurrent tal-valanga

26

A

PD@TC=25

Dissipazzjoni totali tal-Enerġija

95

W

PD@TA=25

Dissipazzjoni totali tal-Enerġija

5.0

W

TSTG

Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna

-55 sa 150

TJ

Firxa tat-Temperatura tal-Junction Operattiva

-55 sa 150

 

Simbolu

Parametru

Kundizzjonijiet

Min.

Tip.

Max.

Unità

BVDSS

Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source VGS=0V , ID=250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Koeffiċjent tat-Temperatura BVDSS Referenza għal 25, ID=1mA

---

0.0

---

V/

RDS(ON)d

Drejn-Sors statiku On-Reżistenza2 VGS=10V , ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koeffiċjent tat-Temperatura

---

-5   mV/

IDSS

Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source VDS=80V , VGS=0V , TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V , VGS=0V , TJ=55

---

- 30

IGSS

Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Reżistenza tal-bieb VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Ħlas totali tal-bieb (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Ħlas tal-Bieb-Sors

---

12

--

Qgde

Ħlas tal-Gat-Ixxotta

---

12

---

Td(on)e

Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel VDD=30V , VĠEN=10V , RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Żmien Żmien

---

9

17

Td (mitfi)e

Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ

---

36

65

Tfe

Ħin tal-waqgħa

---

22

40

Cisse

Kapaċità tad-dħul VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Kapaċità tal-ħruġ

---

215

---

Crsse

Kapaċità tat-Trasferiment Reverse

---

42

---


  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

  • Ikteb il-messaġġ tiegħek hawn u ibgħatilna