WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET Dehru Image

deskrizzjoni qasira:

Numru tal-Mudell:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2.1mΩ

ID:-120A

Kanal:P-kanal

Pakkett:DFN5 * 6-8

Prodott Sajf:Il-MOSFET WSD20L120DN56 jaħdem f'-20 volt u jiġbed kurrent ta '-120 amps. Għandu reżistenza ta '2.1 milliohms, kanal P, u jiġi f'pakkett DFN5 * 6-8.

Applikazzjonijiet:E-sigaretti, ċarġers mingħajr fili, muturi, drones, tagħmir mediku, ċarġers tal-karozzi, kontrolluri, apparat diġitali, apparat żgħir, u elettronika għall-konsumatur.

Ibgħat email lilna PDF

Dettall tal-Prodott

Applikazzjoni

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni Ġenerali

Il-WSD20L120DN56 huwa P-Ch MOSFET bl-aqwa prestazzjoni bi struttura ta 'ċelluli ta' densità għolja, li jagħti RDSON superb u ħlas ta 'gate għall-biċċa l-kbira tal-użi sinkroniċi tal-konvertitur buck. Il-WSD20L120DN56 jissodisfa 100% rekwiżiti EAS għal RoHS u prodotti li ma jagħmlux ħsara lill-ambjent, b'approvazzjoni ta 'affidabbiltà ta' funzjoni sħiħa.

Karatteristiċi

1, Teknoloġija avvanzata ta 'Trench ta' densità għolja taċ-ċelluli
2, Ħlas Super Low Gate
3, Eċċellenti tnaqqis fl-effett CdV/dt
4, 100% EAS Garantit 5, Apparat Aħdar Disponibbli

Applikazzjonijiet

Konvertitur Buck Sinkroniku ta’ Punt ta’ Tagħbija ta’ Frekwenza Għolja għal MB/NB/UMPC/VGA, Sistema ta’ Enerġija DC-DC tan-Netwerking, Swiċċ tat-Tagħbija, E-sigaretti, Ċarġer tal-Wireless, Muturi, Drones, Mediku, Ċarġer tal-Karozzi, Kontrollur, Prodotti Diġitali, Appliances Żgħar tad-Dar, Elettronika tal-Konsumatur.

numru tal-materjal korrispondenti

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Parametri importanti

Simbolu	Parametru	Klassifikazzjoni		Unitajiet
Simbolu	Parametru	10s	Stat fiss	Unitajiet
VDS	Drain-Source Vultaġġ	-20		V
VGS	Vultaġġ Gate-Source	±10		V
ID@TC=25℃	Ixxotta Kontinwu Kurrent, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Ixxotta Kontinwu Kurrent, VGS @ -10V1	-69.5		A
ID@TA=25℃	Ixxotta Kontinwu Kurrent, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Ixxotta Kontinwu Kurrent, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulsed Drain Current2	-340		A
EAS	Enerġija valanga tal-Impuls Uniku3	300		mJ
IAS	Kurrent tal-valanga	-36		A
PD@TC=25℃	Dissipazzjoni totali tal-Qawwa4	130		W
PD@TA=25℃	Dissipazzjoni totali tal-Qawwa4	6.8	6.25	W
TSTG	Firxa tat-Temperatura tal-Ħażna	-55 sa 150		℃
TJ	Firxa tat-Temperatura tal-Junction Operattiva	-55 sa 150		℃

Simbolu	Parametru	Kundizzjonijiet	Min.	Tip.	Max.	Unità
BVDSS	Vultaġġ ta' Tkissir tad-Drain-Source	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koeffiċjent tat-Temperatura BVDSS	Referenza għal 25℃, ID=-1mA	---	-0.0212	---	V/℃
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Ixxotta-Sors statiku On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Vultaġġ tal-Għatba tal-Bieb	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	Koeffiċjent tat-Temperatura VGS(th).		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Kurrent ta' Tnixxija tad-Drain-Source					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Kurrent tat-tnixxija tal-bieb-sors	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduttanza 'l quddiem	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Reżistenza tal-bieb	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Ħlas totali tal-bieb (-4.5V)	VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Ħlas tal-Bieb-Sors		---	21	---
Qgd	Ħlas tal-Gat-Ixxotta		---	32	---
Td(on)	Ħin ta' Dewmien għall-Ixgħel	VDD=-10V, VGEN=-4.5V, RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω	---	20	---	ns
Tr	Żmien Żmien		---	50	---
Td (mitfi)	Ħin ta' Dewmien għat-Tfigħ		---	100	---
Tf	Ħin tal-waqgħa		---	40	---
Ciss	Kapaċità tad-dħul	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Kapaċità tal-ħruġ		---	380	---
Crss	Kapaċità tat-Trasferiment Reverse		---	290	---